Número de Producto del Fabricante:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6L35FU(TE85L,F)-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventario:
2617 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891303
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ENVIAR
SSM6L35FU(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180mA, 100mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.5pF @ 3V
Potencia - Máx.
200mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
SSM6L35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6L35FU(TE85LF)TR
SSM6L35FU (TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85LF)DKR
SSM6L35FU(TE85LF)CT
SSM6L35FUTE85LF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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