SSM6K819R,LF
Número de Producto del Fabricante:

SSM6K819R,LF

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

SSM6K819R,LF-DG

Descripción:

N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F

Inventario:

153 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002887
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SSM6K819R,LF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25.8mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1110 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP-F
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM6K819

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6K819RLFCT
264-SSM6K819R,LFDKR-DG
264-SSM6K819RLFDKR
264-SSM6K819R,LFTR
264-SSM6K819R,LFCT-DG
264-SSM6K819RLFTR
264-SSM6K819R,LFCT
264-SSM6K819R,LFDKR
264-SSM6K819R,LFTR-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SSM6K819R,LXHF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
7420
NÚMERO DE PIEZA
SSM6K819R,LXHF-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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