Número de Producto del Fabricante:
SSM6K810R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K810R,LF-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventario:
5954 Pcs Nuevos Originales En Stock
12990059
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ENVIAR
SSM6K810R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP-F
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM6K810
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6K810RLFTR-DG
264-SSM6K810RLFTR
264-SSM6K810R,LFDKR
264-SSM6K810R,LFCT
264-SSM6K810R,LFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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