Número de Producto del Fabricante:
SSM6K781G,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K781G,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
Inventario:
80 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889855
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ENVIAR
SSM6K781G,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WCSPC (1.5x1.0)
Paquete / Caja
6-UFBGA, WLCSP
Número de producto base
SSM6K781
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6K781G,LFTR
264-SSM6K781G,LFCT
SSM6K781GLFTR-DG
SSM6K781GLFCT-DG
264-SSM6K781G,LFDKR
SSM6K781G,LF(S
SSM6K781GLFDKR
SSM6K781GLFDKR-DG
SSM6K781GLFCT
SSM6K781GLFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PMCM6501UNEZ
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
4464
NÚMERO DE PIEZA
PMCM6501UNEZ-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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