Número de Producto del Fabricante:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K361NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventario:
40516 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889812
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ENVIAR
SSM6K361NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
SSM6K361
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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