Número de Producto del Fabricante:
SSM6J808R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J808R,LF-DG
Descripción:
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventario:
10631 Pcs Nuevos Originales En Stock
13309570
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Cantidad
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ENVIAR
SSM6J808R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP-F
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM6J808
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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