Número de Producto del Fabricante:
SSM6H19NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6H19NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Inventario:
54777 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890496
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM6H19NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
185mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-UDFN (2x2)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
SSM6H19
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
SSM6H19NULFDKR
SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NULFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
