SSM4K27CTTPL3
Número de Producto del Fabricante:

SSM4K27CTTPL3

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

SSM4K27CTTPL3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)

Inventario:

12891678
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SSM4K27CTTPL3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
205mOhm @ 250mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
174 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CST4 (1.2x0.8)
Paquete / Caja
4-SMD, No Lead
Número de producto base
SSM4K27

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
SSM4K27CT(TPL3)TR
SSM4K27CT(TPL3)TR-DG
SSM4K27CTTPL3TR
SSM4K27CT(TPL3)CT
SSM4K27CT(TPL3)DKR
SSM4K27CT(TPL3)CT-DG
SSM4K27CTTPL3CT
SSM4K27CT(TPL3)DKR-DG
SSM4K27CT(TPL3)
SSM4K27CTTPL3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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