Número de Producto del Fabricante:
SSM3K35MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K35MFV,L3F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
12890914
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ENVIAR
SSM3K35MFV,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
SSM3K35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
SSM3K35MFVL3F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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