Número de Producto del Fabricante:
SSM3K35AMFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K35AMFV,L3F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
209110 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891507
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3K35AMFV,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
36 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
SSM3K35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
SSM3K35AMFVL3F(B
SSM3K35AMFVL3FCT
SSM3K35AMFVL3F(T
SSM3K35AMFV,L3F(B
SSM3K35AMFVL3FTR
SSM3K35AMFVL3FDKR
SSM3K35AMFV,L3F(T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
SSM5N15FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USV
SSM3J15FS,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
