Número de Producto del Fabricante:
SSM3K15ACT,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K15ACT,L3F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventario:
26967 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891236
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ENVIAR
SSM3K15ACT,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 100µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13.5 pF @ 3 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CST3
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Número de producto base
SSM3K15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
SSM3K15ACTL3F(BDKR-DG
SSM3K15ACT,L3F(T
SSM3K15ACTL3F(BTR
SSM3K15ACTL3F(BCT-DG
SSM3K15ACTL3F(BTR-DG
SSM3K15ACTL3F(BCT
SSM3K15ACTL3FCT
SSM3K15ACTL3FTR
SSM3K15ACTL3FDKR
SSM3K15ACT,L3F(B
SSM3K15ACTL3F(BDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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