Número de Producto del Fabricante:
SSM3J331R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J331R,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventario:
19106 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889616
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J331R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23F
Paquete / Caja
SOT-23-3 Flat Leads
Número de producto base
SSM3J331
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J331RLF(TCT-DG
SSM3J331R,LF(T
SSM3J331RLFDKR
SSM3J331RLF(TTR
SSM3J331RLF(TDKR
SSM3J331RLF(TTR-DG
SSM3J331RLF(TCT
SSM3J331R,LF(B
SSM3J331RLF(TDKR-DG
SSM3J331RLFCT
SSM3J331RLFTR
SSM6J414TU,LF(A
SSM3J331RLF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3K7002BSU,LF
MOSFET N-CH 60V 200MA USM
SSM3K35CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
TK16J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
