Número de Producto del Fabricante:
SSM3J15CT(TPL3)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J15CT(TPL3)-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventario:
12890183
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM3J15CT(TPL3) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
π-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CST3
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Número de producto base
SSM3J15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTTPL3
SSM3J15CTL3FDKR-DG
SSM3J15CTL3FTR-DG
SSM3J15CTL3FDKR
SSM3J15CT(TPL3)DKR
SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PMZ1200UPEYL
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
9975
NÚMERO DE PIEZA
PMZ1200UPEYL-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
