Número de Producto del Fabricante:
SSM3J09FU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J09FU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventario:
6123 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889261
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ENVIAR
SSM3J09FU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3.3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 100µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
22 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
USM
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SSM3J09
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J09FU,LF(B
SSM3J09FULFCT
SSM3J09FULFDKR
SSM3J09FULFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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