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Número de Producto del Fabricante:
RN46A1(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN46A1(TE85L,F)-DG
Descripción:
PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13275888
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ENVIAR
RN46A1(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
22kOhms, 10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
22kOhms, 10kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
200MHz, 250MHz
Potencia - Máx.
300mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivos del proveedor
SM6
Número de producto base
RN46A1
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-RN46A1(TE85LF)DKR
264-RN46A1(TE85LF)TR
264-RN46A1(TE85LF)CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RN4606(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3939
NÚMERO DE PIEZA
RN4606(TE85L,F)-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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