Número de Producto del Fabricante:
RN2904FE,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN2904FE,LF-DG
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890332
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Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
kt98
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ENVIAR
RN2904FE,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
47kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
200MHz
Potencia - Máx.
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
RN2904
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
RN2904FELFDKR-DG
RN2904FE,LF(CB
RN2904FELFTR-DG
RN2904FELF(CTTR
RN2904FELF(CTTR-DG
264-RN2904FE,LFDKR
264-RN2904FE,LFCT
RN2904FELFCT-DG
RN2904FELF(CTDKR
264-RN2904FE,LFTR
RN2904FELFTR
RN2904FELF(CTCT-DG
RN2904FELFCT
RN2904FELFDKR
RN2904FELF(CTDKR-DG
RN2904FE,LF(CT
RN2904FELF(CTCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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