Número de Producto del Fabricante:
RN2427TE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN2427TE85LF-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventario:
4845 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889505
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ENVIAR
RN2427TE85LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
800 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
90 @ 100mA, 1V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
200 MHz
Potencia - Máx.
200 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Número de producto base
RN2427
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-RN2427TE85LFCT
RN2427TE85LF-DG
264-RN2427TE85LFTR
RN2427(TE85L,F)
264-RN2427TE85LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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