Número de Producto del Fabricante:
RN2112,LF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN2112,LF(CT-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891205
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ENVIAR
RN2112,LF(CT Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
22 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
200 MHz
Potencia - Máx.
100 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivos del proveedor
SSM
Número de producto base
RN2112
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RN2112,LF(CB
RN2112,LF(CTTR
RN2112,LF(CTCT-DG
RN2112LF(CBDKR
RN2112(T5L,F,T)
RN2112(T5LFT)TR-DG
RN2112LF(CTTR
RN2112LF(CBCT
RN2112,LF(CTDKR
RN2112LF(CBTR
RN2112LF(CBTR-DG
RN2112LF(CTDKR
RN2112(T5LFT)CT
RN2112LF(CBCT-DG
RN2112,LF(CTCT
RN2112LF(CTCT
RN2112(T5LFT)CT-DG
RN2112(T5LFT)DKR-DG
RN2112(T5LFT)TR
RN2112LF(CBDKR-DG
RN2112(T5LFT)DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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