Número de Producto del Fabricante:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889320
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ENVIAR
RN1131MFV(TL3,T) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
100 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Potencia - Máx.
150 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-723
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Número de producto base
RN1131
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DTC115TM3T5G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DTC115TM3T5G-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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