Número de Producto del Fabricante:
RN1101,LF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1101,LF(CT-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventario:
5124 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889269
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ENVIAR
RN1101,LF(CT Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
4.7 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250 MHz
Potencia - Máx.
100 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivos del proveedor
SSM
Número de producto base
RN1101
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RN1101,LF(CTTR
RN1101,LF(CTDKR-DG
RN1101LF(CTCT
RN1101(T5LFT)TR
RN1101,LF(CTTR-DG
RN1101T5LFT
RN1101LF(CTDKR
RN1101(T5LFT)DKR-DG
RN1101(T5LFT)DKR
RN1101,LF(CTCT
RN1101,LF(CTDKR
RN1101,LF(CTCT-DG
RN1101,LF(CB
RN1101(T5LFT)TR-DG
RN1101(T5LFT)CT-DG
RN1101LF(CTTR
RN1101(T5L,F,T)
RN1101(T5LFT)CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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