Número de Producto del Fabricante:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Descripción:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventario:
2900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988801
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ENVIAR
HN4B102J(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1.8A, 2A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
30V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Potencia - Máx.
750mW
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74A, SOT-753
Paquete de dispositivos del proveedor
SMV
Número de producto base
HN4B102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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