Número de Producto del Fabricante:
HN3C10FUTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN3C10FUTE85LF-DG
Descripción:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Descripción Detallada:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
101 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890009
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ENVIAR
HN3C10FUTE85LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
12V
Frecuencia - Transición
7GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Ganar
11.5dB
Potencia - Máx.
200mW
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 20mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
80mA
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
HN3C10
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BFS483H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
48371
NÚMERO DE PIEZA
BFS483H6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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