Número de Producto del Fabricante:
2SK2963(TE12L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK2963(TE12L,F)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Inventario:
12889528
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ENVIAR
2SK2963(TE12L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MINI
Paquete / Caja
TO-243AA
Número de producto base
2SK2963
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2SK2963DKR
2SK2963 (TE12L,F)
2SK2963FCT
2SK2963DKR-DG
2SK2963TE12LF
2SK2963(TE12L)-NDR
2SK2963FDKR
2SK2963FTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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