Número de Producto del Fabricante:
2SJ380(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SJ380(F)-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12891266
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ENVIAR
2SJ380(F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
210mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
2SJ380
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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