Número de Producto del Fabricante:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SD2257(Q,M)-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12891512
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ENVIAR
2SD2257(Q,M) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
3 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corriente - Corte del colector (máx.)
10µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 2A, 2V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SD2257
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SD2257QM
2SD2257(QM)
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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