Número de Producto del Fabricante:
2SC3665-Y,T2NSF(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SC3665-Y,T2NSF(J-DG
Descripción:
TRANS NPN 120V 0.8A MSTM
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventario:
12891249
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ENVIAR
2SC3665-Y,T2NSF(J Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
800 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
1 W
Frecuencia - Transición
120MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
SC-71
Paquete de dispositivos del proveedor
MSTM
Número de producto base
2SC3665
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SC3665YT2NSFJ
2SC3665-YT2NSF(J
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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