Número de Producto del Fabricante:
2SA1955FVBTPL3Z
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SA1955FVBTPL3Z-DG
Descripción:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount VESM
Inventario:
2695 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889632
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ENVIAR
2SA1955FVBTPL3Z Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
400 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
12 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
300 @ 10mA, 2V
Potencia - Máx.
100 mW
Frecuencia - Transición
130MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-723
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Número de producto base
2SA1955
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
2SA1955FV-B(TPL3,Z
2SA1955FVBTPL3ZDKR
2SA1955FVBTPL3ZCT
2SA1955FVBTPL3ZTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SA2030T2L
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
2SA2030T2L-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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