Número de Producto del Fabricante:
CSD86330Q3D
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD86330Q3D-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Inventario:
23708 Pcs Nuevos Originales En Stock
12791527
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ENVIAR
CSD86330Q3D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920pF @ 12.5V
Potencia - Máx.
6W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-LSON (3.3x3.3)
Número de producto base
CSD86330Q3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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