Número de Producto del Fabricante:
CSD85312Q3E
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD85312Q3E-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Inventario:
8301 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817111
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD85312Q3E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
39A
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2390pF @ 10V
Potencia - Máx.
2.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON (3.3x3.3)
Número de producto base
CSD85312
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
-CSD85312Q3E-NDR
TEXTISCSD85312Q3E
2156-CSD85312Q3E
296-37187-6
296-37187-1
296-37187-2
-296-37187-1
-296-37187-1-DG
CSD85312Q3E-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
