Número de Producto del Fabricante:
CSD25303W1015
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD25303W1015-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventario:
12816402
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD25303W1015 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
-
Serie
NexFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja
6-UFBGA, DSBGA
Número de producto base
CSD2530
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-CSD25303W1015-TITR
-296-28317-1-DG
-CSD25303W1015-NDR
296-28317-6
296-28317-2
TEXTISCSD25303W1015
296-28317-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD25304W1015
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
CSD25304W1015-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
IRFH9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
