Número de Producto del Fabricante:
CSD19538Q2T
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD19538Q2T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Inventario:
4287 Pcs Nuevos Originales En Stock
12789544
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ENVIAR
CSD19538Q2T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
454 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WSON (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
CSD19538
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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