Número de Producto del Fabricante:
CSD18535KTTT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD18535KTTT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
1002 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795994
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD18535KTTT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta), 279A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6620 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
CSD18535
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
296-44121-2
296-44121-1
296-44121-6
CSD18535KTTT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD17484F4T
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
DN1509K1-G
MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
