Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB190CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB190CI-DG
Descripción:
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
13001274
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM60NB190CI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1273 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM60NB190CI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB190CI C0G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
731
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB190CI C0G-DG
PRECIO UNITARIO
2.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DI068P04D1-AQ
MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W
SI3139KL3A-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
G75P04T
MOSFET P-CH 40V 70A TO-220
