Número de Producto del Fabricante:

TSM110NB04LDCR

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM110NB04LDCR-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN

Descripción Detallada:

Mosfet Array 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Inventario:

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12998498

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TSM110NB04LDCR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

2 N-Channel (Dual)

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

40V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

10A (Ta), 48A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

11mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1269pF @ 20V

Potencia - Máx.

2W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivos del proveedor

8-PDFN (5x6)

Número de producto base

TSM110

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

1801-TSM110NB04LDCRTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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