Número de Producto del Fabricante:
TSM10ND65CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM10ND65CI-DG
Descripción:
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
13374309
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ENVIAR
TSM10ND65CI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1863 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM10
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM10ND65CI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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