Número de Producto del Fabricante:
TSM060NB06CZ
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM060NB06CZ-DG
Descripción:
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
13005108
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ENVIAR
TSM060NB06CZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta), 111A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6842 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TSM060
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM060NB06CZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM060NB06CZ C0G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
3970
NÚMERO DE PIEZA
TSM060NB06CZ C0G-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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