Número de Producto del Fabricante:
STW65N65DM2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW65N65DM2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
393 Pcs Nuevos Originales En Stock
12878689
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STW65N65DM2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5500 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-16127-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STF6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
STT4P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
STD85N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
