Número de Producto del Fabricante:
STW25NM60ND
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW25NM60ND-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12874338
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ENVIAR
STW25NM60ND Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
FDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW25N
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-8455-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIHG22N60AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHG22N60AE-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SIHG22N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
498
NÚMERO DE PIEZA
SIHG22N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFH36N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFH36N60P-DG
PRECIO UNITARIO
6.71
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
3.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHG23N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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