Número de Producto del Fabricante:
STU7N65M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STU7N65M2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
844 Pcs Nuevos Originales En Stock
12873920
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STU7N65M2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.15Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STU7N65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
497-15045-5
-497-15045-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STF5N95K3
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
STW12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
STI12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
