STU7N60DM2
Número de Producto del Fabricante:

STU7N60DM2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STU7N60DM2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12872472
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STU7N60DM2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
324 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STU7N60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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