Número de Producto del Fabricante:
STU1HN60K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STU1HN60K3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
1899 Pcs Nuevos Originales En Stock
12880231
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ENVIAR
STU1HN60K3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
SuperMESH3™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STU1HN60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
497-13787-5
-497-13787-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFU1N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1927
NÚMERO DE PIEZA
IRFU1N60APBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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