Número de Producto del Fabricante:
STT3P2UH7
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STT3P2UH7-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Inventario:
12876243
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STT3P2UH7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
510 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-6
Paquete / Caja
SOT-23-6
Número de producto base
STT3P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
497-15156-1
497-15156-6
497-15156-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3443DDV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
13976
NÚMERO DE PIEZA
SI3443DDV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STL210N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STW7NK90Z
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
STB33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK