Número de Producto del Fabricante:
STP8NK85Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP8NK85Z-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 850 V 6.7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12872606
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ENVIAR
STP8NK85Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
850 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1870 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP8N
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-5205-5
STP8NK85Z-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificación DIGI
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