Número de Producto del Fabricante:
STP5NB60
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP5NB60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12874039
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ENVIAR
STP5NB60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
884 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-2769-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
AOT4N60
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
423
NÚMERO DE PIEZA
AOT4N60-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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