Número de Producto del Fabricante:
STP2N105K5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP2N105K5-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 1050 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12875762
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ENVIAR
STP2N105K5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ K5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1050 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
115 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP2N105
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
-497-15277-5
497-15277-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTP2N100P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
136
NÚMERO DE PIEZA
IXTP2N100P-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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