Número de Producto del Fabricante:
STP10N65K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP10N65K3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12875177
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STP10N65K3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB9N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
912
NÚMERO DE PIEZA
IRFB9N65APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP11N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1996
NÚMERO DE PIEZA
STP11N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STP5NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
STS5N15F4
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
STU9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
