Número de Producto del Fabricante:
STF11N65K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STF11N65K3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventario:
12877171
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ENVIAR
STF11N65K3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH3™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
850mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1180 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
STF11
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
STF11N65K3-DG
-497-12565-5
497-12565-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
R6007ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
129
NÚMERO DE PIEZA
R6007ENX-DG
PRECIO UNITARIO
0.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFIB5N65APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
927
NÚMERO DE PIEZA
IRFIB5N65APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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