STF10N60M2
Número de Producto del Fabricante:

STF10N60M2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STF10N60M2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventario:

2606 Pcs Nuevos Originales En Stock
12874813
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

STF10N60M2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ II Plus
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
STF10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
STF10N60M2-DG
5060-STF10N60M2
497-13945-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
stmicroelectronics

STD3N65M6

MOSFET N-CH 650V DPAK

stmicroelectronics

STWA20N95DK5

MOSFET N-CH 950V 18A TO247

stmicroelectronics

STH360N4F6-2

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

stmicroelectronics

STL13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV