Número de Producto del Fabricante:
STD9HN65M2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD9HN65M2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12875338
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ENVIAR
STD9HN65M2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ M2
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
325 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
STD9H
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
497-16036-2
497-16036-6
-497-16036-6
497-16036-1
-497-16036-1
-497-16036-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTY4N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
70
NÚMERO DE PIEZA
IXTY4N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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