Número de Producto del Fabricante:
STB80NF55L-08-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB80NF55L-08-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
2277 Pcs Nuevos Originales En Stock
12872076
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ENVIAR
STB80NF55L-08-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
STripFET™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STB80N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-12542-5
STB80NF55L081
STB80NF55L-08-1-DG
-497-12542-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF3205ZLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3938
NÚMERO DE PIEZA
IRF3205ZLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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